產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
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FGH60T65SQD-F155 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGH60T65SQD-F155
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，60A
- 功率-最大值：333W
- 開(kāi)關(guān)能量：227μJ（開(kāi)），100μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：79nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：20.8ns/102ns
- 測(cè)試條件：400V，15A，4.7 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：34.6ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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