產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：FS4TIGBT TO247 40A 650V
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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FGH40T65UQDF-F155 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGH40T65UQDF-F155
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：FS4TIGBT TO247 40A 650V
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購(gòu)
- IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.67V @ 15V，40A
- 功率-最大值：231W
- 開(kāi)關(guān)能量：989μJ（開(kāi)），310μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：306nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：32ns/271ns
- 測(cè)試條件：400V，40A，6 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：89ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- FGH40T65UQDF-F155優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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