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FGH30T65UPDT-F155 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術參數:IGBT 650V 60A 250W TO247-3
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FGH30T65UPDT-F155 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FGH30T65UPDT-F155
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 650V 60A 250W TO247-3
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:不適用於新設計
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):90A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:250W
  • 開關能量:760μJ(開),400μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:155nC
  • 25°C時Td(開/關)值:22ns/139ns
  • 測試條件:400V,30A,8 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):43ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
  • FGH30T65UPDT-F155優勢代理貨源,國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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