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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術參數：IGBT 1000V 50A 156W TO3P
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FGA50N100BNTD2 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FGA50N100BNTD2
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：最後搶購
- IGBT類型：NPT 和溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：200A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A
- 功率-最大值：156W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：257nC
- 25°C時Td（開/關）值：34ns/243ns
- 測試條件：600V，60A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：75ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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