產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
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FGA40S65SH 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGA40S65SH
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.81V @ 15V，40A
- 功率-最大值：268W
- 開關(guān)能量：194μJ（開），388μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：73nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：19.2ns/68.8ns
- 測試條件：400V，40A，6 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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