產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術參數(shù)：IGBT 1200V 60A 339W TO3P
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FGA30N120FTDTU 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGA30N120FTDTU
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
- 功率-最大值：339W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：208nC
- 25°C時Td（開/關）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：730ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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