產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 50A 313W TO3P
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FGA25N120FTD 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FGA25N120FTD
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 50A 313W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：75A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，25A
- 功率-最大值：313W
- 開關(guān)能量：340μJ（開），900μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：160nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：48ns/210ns
- 測試條件：600V，25A，15歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：770ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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