產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：安森美
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：MicroFET 2x2 薄型
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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FDFMA2P859T 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDFMA2P859T
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類(lèi)型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：435pF @ 10V
- FET功能：肖特基二極管（隔離式）
- 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 器件封裝：MicroFET 2x2 薄型
- FDFMA2P859T優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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