產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 650V 33A 135W
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FAM65HR51DS2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FAM65HR51DS2
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 配置：半橋逆變器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：33A
- 功率-最大值：135W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：-
- 電流-集電極截止（最大值）：-
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：4.86nF @ 400V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：-
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