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EMD4DXV6T5G 圖片
  • 制造廠商：安森美
  • 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置，封裝：SOT-563，SOT-666
  • 技術參數(shù)：TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
  • 豐富的安森美公司產品，安森美芯片采購平臺
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EMD4DXV6T5G 技術參數(shù)詳情：
  • 制造商產品型號：EMD4DXV6T5G
  • 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
  • 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：47 千歐，10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2)：47 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  • 頻率-躍遷：-
  • 功率-最大值：500mW
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：SOT-563，SOT-666
  • EMD4DXV6T5G優(yōu)勢代理貨源，國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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