產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-XFBGA，F(xiàn)CBGA
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH EFCP
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EFC6601R-TR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：EFC6601R-TR
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH EFCP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動
- 漏源電壓（Vdss）：-
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：48nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：2W
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-XFBGA，F(xiàn)CBGA
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