- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-XFBGA,FCBGA
- 技術參數:MOSFET 2N-CH EFCP
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EFC6601R-A-TR 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:EFC6601R-A-TR
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2N-CH EFCP
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產品系列:-
- 零件狀態:有源
- FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
- FET功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動
- 漏源電壓(Vdss):-
- 25°C時電流-連續漏極(Id):-
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):48nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
- 功率-最大值:2W
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:6-XFBGA,FCBGA
- EFC6601R-A-TR優勢代理貨源,國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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