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EFC6601R-A-TR 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-XFBGA,FCBGA
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH EFCP
  • 豐富的安森美公司產品,安森美芯片采購平臺
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EFC6601R-A-TR 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:EFC6601R-A-TR
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET 2N-CH EFCP
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
  • FET功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):-
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):48nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:2W
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-XFBGA,FCBGA
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