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EFC2K102NUZTDG 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:表面貼裝型
  • 技術參數:DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V
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EFC2K102NUZTDG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:EFC2K102NUZTDG
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:卷帶(TR)
  • 零件狀態:-
  • FET類型:有源
  • FET功能:2 N 溝道(雙)共漏
  • 漏源電壓(Vdss):邏輯電平柵極,2.5V 驅動
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):12V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):33A(Ta)
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.65 毫歐 @ 5A,4.5V
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):1.3V @ 1mA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):42nC @ 3.8V
  • 功率-最大值:-
  • 工作溫度:3.1W(Ta)
  • 安裝類型:150°C(TJ)
  • 封裝:表面貼裝型
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