產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術(shù)參數(shù)：JFET N-CH 40V 350MW SOT23
- 豐富的安森美公司產(chǎn)品，安森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
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BSR58LT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：BSR58LT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 40V 350MW SOT23
- 系列：晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：40V
- 漏源電壓（Vdss）：-
- 不同Vds(Vgs=0)時(shí)電流-漏極(Idss)：8mA @ 15V
- 漏極電流(Id)-最大值：-
- 不同Id時(shí)電壓-截止(VGSoff)：800mV @ 1μA
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 電阻-RDS(On)：60 Ohms
- 功率-最大值：350mW
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- BSR58LT1G優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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