產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術(shù)參數(shù)：JFET N-CH 225MW SOT23
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BFR30LT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BFR30LT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 225MW SOT23
- 系列：晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-
- 漏源電壓（Vdss）：25V
- 不同Vds(Vgs=0)時(shí)電流-漏極(Idss)：4mA @ 10V
- 漏極電流(Id)-最大值：-
- 不同Id時(shí)電壓-截止(VGSoff)：5V @ 0.5nA
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：5pF @ 10V
- 電阻-RDS(On)：-
- 功率-最大值：225mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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