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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數(shù)：650V/40A FS4 IGBT TO263 A
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AFGB40T65SQDN 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：AFGB40T65SQDN
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：650V/40A FS4 IGBT TO263 A
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A
- 功率-最大值：238W
- 開關能量：858μJ（開），229μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：76nC
- 25°C時Td（開/關）值：17.6ns/75.2ns
- 測試條件：400V，40A，6 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：131ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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