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2N5639G 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
  • 技術參數:JFET N-CH 35V 0.31W TO92
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2N5639G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:2N5639G
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92
  • 系列:晶體管 - JFET
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS):35V
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss):25mA @ 20V
  • 漏極電流(Id)-最大值:-
  • 不同Id時電壓-截止(VGSoff):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):10pF @ 12V(VGS)
  • 電阻-RDS(On):60 Ohms
  • 功率-最大值:310mW
  • 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
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