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- 制造廠商：Winbond（華邦）
- 類別封裝：存儲器，產品封裝：90-TFBGA
- 技術參數：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
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W987D2HBJX6E 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：W987D2HBJX6E TR
- 制造商：Winbond Electronics（華邦電子）
- 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
- 產品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態：不適用於新設計
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：DRAM
- 技術：SDRAM - 移動 LPSDR
- 存儲容量：128Mb（4M x 32）
- 存儲器接口：并聯
- 時鐘頻率：166MHz
- 寫周期時間-字，頁：15ns
- 訪問時間：5.4ns
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：-25°C ~ 85°C（TC）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產品封裝：90-TFBGA
- W987D2HBJX6E優勢代理貨源，國內領先的Winbond芯片采購服務平臺。
