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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：雙 INT-A-PAK（3 + 4）
- 技術參數：IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
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VS-GB200TH120N 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：VS-GB200TH120N
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：-
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：360A
- 功率-最大值：1136W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.35V @ 15V，200A
- 電流-集電極截止（最大值）：5mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：14.9nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：雙 INT-A-PAK（3 + 4）
- VS-GB200TH120N優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
