- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,PowerPAK
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
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SQS401EN-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SQS401EN-T1-GE3
- 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8
- 系列:TrenchFET
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):40V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):29 毫歐 @ 12A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):21.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1875pF @ 20V
- 功率 - 最大值:62.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK 1212-8
- 供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK 1212-8
- SQS401EN-T1-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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