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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：場效應管陣列，PowerPAK
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
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SQJ960EP-T1-GE3 技術參數詳情：
- Vishay威世半導體原廠型號：SQJ960EP-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 5.3A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：735pF @ 25V
- 功率 - 最大值：34W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙
- 供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual
- SQJ960EP-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
