產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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SQJ570EP-T1_GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SQJ570EP-T1_GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：N 和 P 溝道
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：15A（Tc），9.5A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 6A，10V，146 毫歐 @ 6A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V，15nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：650pF @ 25V，600pF @ 25V
- 功率-最大值：27W
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- SQJ570EP-T1_GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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