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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：單端場效應管，PowerPAK
- 技術參數：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
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SQJ412EP-T1-GE3 技術參數詳情：
- Vishay威世半導體原廠型號：SQJ412EP-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：40V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：32A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 10.3A, 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：120nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5950pF @ 20V
- 功率 - 最大值：83W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK SO-8
- 供應商器件封裝：PowerPAK SO-8
- SQJ412EP-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
