產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，8-SO
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
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SQ4431EY-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SQ4431EY-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：10.8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1265pF @ 15V
- 功率 - 最大值：6W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
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