
- 制造廠商:Vishay(威世)
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,TO-236
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購平臺
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SQ2310ES-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SQ2310ES-T1-GE3
- 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
- 系列:TrenchFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 5A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):485pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-236
- SQ2310ES-T1-GE3優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購服務(wù)平臺。

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