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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術參數：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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SIZ998DT-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SIZ998DT-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET?
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：20A (Tc)，60A (Tc)
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：6.7 毫歐 @ 15A，10V，2.8 毫歐 @ 19A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：930pF @ 15V，2620pF @ 15V
- 功率-最大值：20.2W，32.9W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
- SIZ998DT-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
