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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：單端場效應管，PowerPAK
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
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SISA12DN-T1-GE3 技術參數(shù)詳情：
- Vishay威世半導體原廠型號：SISA12DN-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：25A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2070pF @ 15V
- 功率 - 最大值：28W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK 1212-8
- 供應商器件封裝：PowerPAK 1212-8
- SISA12DN-T1-GE3優(yōu)勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
