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Vishay
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產品參考圖片
SISA12DN-T1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:單端場效應管,PowerPAK
  • 技術參數:MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
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SISA12DN-T1-GE3 技術參數詳情:
  • Vishay威世半導體原廠型號:SISA12DN-T1-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
  • 系列:TrenchFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):25A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):45nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2070pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:28W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:PowerPAK 1212-8
  • 供應商器件封裝:PowerPAK 1212-8
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