產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：通孔
- 技術(shù)參數(shù)：E SERIES POWER MOSFET SUPER-247
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SIHS90N65E-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIHS90N65E-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：E SERIES POWER MOSFET SUPER-247
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：管件
- 零件狀態(tài)：E
- FET類型：有源
- 技術(shù)：N 通道
- 漏源電壓（Vdss）：MOSFET（金屬氧化物）
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：650V
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：87A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：29 毫歐 @ 45A，10V
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4V @ 250μA
- Vgs（最大值）：591nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：±30V
- FET功能：11826pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作溫度：625W（Tc）
- 安裝類型：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 器件封裝：通孔
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