產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：通孔
- 技術(shù)參數(shù)：D SERIES POWER MOSFET SUPER-247
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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SIHS36N50D-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIHS36N50D-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：D SERIES POWER MOSFET SUPER-247
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：管件
- 零件狀態(tài)：D
- FET類(lèi)型：有源
- 技術(shù)：N 通道
- 漏源電壓（Vdss）：MOSFET（金屬氧化物）
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：500V
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：36A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：130 毫歐 @ 18A，10V
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5V @ 250μA
- Vgs（最大值）：125nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：±30V
- FET功能：3233pF @ 100V
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作溫度：446W（Tc）
- 安裝類(lèi)型：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 器件封裝：通孔
- SIHS36N50D-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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