產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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SI9912DY-T1-E3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI9912DY-T1-E3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 驅(qū)動(dòng)配置：半橋
- 通道類型：同步
- 驅(qū)動(dòng)器數(shù)：2
- 柵極類型：N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：4.5V ~ 5.5V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：-
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1A，1A
- 輸入類型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：30V
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：30ns，20ns
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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