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Vishay

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SI8467DB-T2-E1 圖片

SI8467DB-T2-E1

制造廠商：Vishay（威世）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：4-Microfoot
技術參數：MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
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SI8467DB-T2-E1 技術參數詳情：

制造商產品型號：SI8467DB-T2-E1
制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
描述：MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
產品系列：TrenchFET?
零件狀態：停產
FET類型：P 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
25°C時電流-連續漏極(Id)：2.5A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：73 毫歐 @ 1A，4.5V
不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：475pF @ 10V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：780mW（Ta），1.8W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
器件封裝：4-Microfoot
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