產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：4-Microfoot
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
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SI8429DB-T1-E1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SI8429DB-T1-E1
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：8V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：11.7A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 1A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1640pF @ 4V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.77W（Ta），6.25W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：4-Microfoot
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