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Vishay
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產品參考圖片
SI8407DB-T2-E1 圖片
  • 制造廠商：Vishay（威世）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：6-Micro Foot?（2.4x2）
  • 技術參數：MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
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SI8407DB-T2-E1 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：SI8407DB-T2-E1
  • 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：TrenchFET?
  • 零件狀態：停產
  • FET類型：P 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：5.8A（Ta）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：27 毫歐 @ 1A，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：900mV @ 350μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.47W（Ta）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：6-Micro Foot?（2.4x2）
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