產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
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SI7956DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SI7956DP-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：150V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.6A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 4.1A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
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