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Vishay
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SI7956DP-T1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:PowerPAK? SO-8 雙
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
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SI7956DP-T1-GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SI7956DP-T1-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):150V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):2.6A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):105 毫歐 @ 4.1A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:1.4W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
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