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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
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SI4931DY-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SI4931DY-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET?
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：6.7A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 350μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：52nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.1W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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