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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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SI4900DY-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SI4900DY-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET?
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：5.3A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：58 毫歐 @ 4.3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：665pF @ 15V
- 功率-最大值：3.1W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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