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Vishay
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產品參考圖片
SI4190DY-T1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-SO
  • 技術參數:MOSFET N-CH 100V 20A 8SO
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SI4190DY-T1-GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SI4190DY-T1-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 20A 8SO
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:*
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):20A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8.8 毫歐 @ 15A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10V
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2000pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-SO
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