產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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SI1965DH-T1-BE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SI1965DH-T1-BE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.14A（Ta），1.3A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：390 毫歐 @ 1A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.2nC @ 8V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：120pF @ 6V
- 功率-最大值：740mW（Ta），1.25W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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