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UnitedSiC
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UF3C065030B3 圖片
  • 制造廠商:UnitedSiC
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-263(D2Pak)
  • 技術參數(shù):MOSFET N-CH 650V 65A TO263
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UF3C065030B3 技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產品型號:UF3C065030B3
  • 制造商:UnitedSiC
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 65A TO263
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:-
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):65A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):12V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):35 毫歐 @ 40A,12V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):51nC @ 15V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):242W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-263(D2Pak)
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