產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Transphorm
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
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TPD3215M 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TPD3215M
- 制造商：Transphorm
- 描述：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 個 N 通道（半橋）
- FET功能：GaNFET（氮化鎵）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：70A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：34 毫歐 @ 30A，8V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 8V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2260pF @ 100V
- 功率-最大值：470W
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：模塊
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