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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-DSOP Advance
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
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XPW4R10ANB,L1XHQ 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：XPW4R10ANB,L1XHQ
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：GaNFET（氮化鎵）
- 漏源電壓（Vdss）：15V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.4A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 1.5A，5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 5V
- Vgs（最大值）：+6V，-4V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：118pF @ 7.5V
- FET功能：標準
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-DSOP Advance
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