產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-3P（N）
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
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TW070J120B,S1Q 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TW070J120B,S1Q
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：*
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 18A，20V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.8V @ 20mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：67nC @ 20V
- Vgs（最大值）：±25V，-10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 800V
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 功率耗散（最大值）：272W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：TO-3P（N）
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