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芯片采購,IC采購,芯片采購平臺(tái)
Toshiba
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
TPN4R303NL,L1Q 圖片
  • 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:8-TSON Advance(3.3x3.3)
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
  • 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺(tái)
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TPN4R303NL,L1Q 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):TPN4R303NL,L1Q
  • 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:U-MOSVIII-H
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):40A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.3 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.3V @ 200μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):14.8nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta),34W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-TSON Advance(3.3x3.3)
  • TPN4R303NL,L1Q優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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