產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：VS-8（2.9x1.5）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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TPCF8101(TE85L,F,M 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TPCF8101(TE85L,F,M
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：*
- 零件狀態(tài)：最後搶購
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 3A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 5V
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：VS-8（2.9x1.5）
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