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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Toshiba
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
TPCC8007(TE12L,Q) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
  • 類(lèi)別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,8-TSON高級(jí)
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 20V 27A 8TSON-ADV
  • 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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TPCC8007(TE12L,Q) 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPCC8007(TE12L,Q)
  • 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 27A 8TSON-ADV
  • 系列:-
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):27A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 13.5A,4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):26nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1870pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:30W
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝:8-TSON高級(jí)
  • TPCC8007(TE12L,Q)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)|IC采購(gòu)|IC代理商 - 國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Toshiba代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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