產品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，8-SOP
- 技術參數：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
- 豐富的東芝半導體公司產品，東芝半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
TPC8A04-H(TE12L,Q) 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：TPC8A04-H(TE12L,Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 9A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：56nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- TPC8A04-H(TE12L,Q)優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
