產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，8-SOP
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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TPC8A04-H(TE12L,Q) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TPC8A04-H(TE12L,Q)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：18A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 9A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：56nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- TPC8A04-H(TE12L,Q)優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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