產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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TPC8212-H(TE12LQ,M 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TPC8212-H(TE12LQ,M
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：840pF @ 10V
- 功率-最大值：450mW
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）
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