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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Toshiba
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
TPC8211(TE12L,Q,M) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
  • 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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TPC8211(TE12L,Q,M) 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):TPC8211(TE12L,Q,M)
  • 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):5.5A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):36 毫歐 @ 3A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1250pF @ 10V
  • 功率-最大值:450mW
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
  • TPC8211(TE12L,Q,M)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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