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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，8-SOP
- 技術參數：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
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TPC8012-H(TE12L,Q) 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：TPC8012-H(TE12L,Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.8A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- TPC8012-H(TE12L,Q)優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
