產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：VS-6（2.9x2.8）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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TPC6012(TE85L,F,M) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：TPC6012(TE85L,F,M)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：U-MOSIV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 3A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：630pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：VS-6（2.9x2.8）
- TPC6012(TE85L,F,M)優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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